Abrupt Depletion Layer Approximation for the Metal Insulator Semiconductor Diode.

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Autor/in	Jones, Kenneth
Titel	Abrupt Depletion Layer Approximation for the Metal Insulator Semiconductor Diode.
Quelle	In: American Journal of Physics, 47 (1979) 4, S.369-72Verfügbarkeit
Sprache	englisch
Dokumenttyp	gedruckt; Zeitschriftenaufsatz
Schlagwörter	College Science; Electricity; Electronic Equipment; Electronics; Higher Education; Physics; Science Education; Semiconductor Devices; Technology + Suchen Sie Ihr Suchwort? Elektronisches Gerät; Elektronik; Hochschulbildung; Hochschulsystem; Hochschulwesen; Physik; Naturwissenschaftliche Bildung; Technologie
Abstract	Determines the excess surface change carrier density, surface potential, and relative capacitance of a metal insulator semiconductor diode as a function of the gate voltage, using the precise questions and the equations derived with the abrupt depletion layer approximation. (Author/GA)
Erfasst von	ERIC (Education Resources Information Center), Washington, DC
Update	2004/1/01

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