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Autor/inSirtl, Erhard
TitelMeilensteine in der Materialtechnik von Halbleiter- Silicium.
QuelleIn: Praxis der Naturwissenschaften. Chemie, 37 (1988) 5, S. 20-23Verfügbarkeit 
Sprachedeutsch
Dokumenttypgedruckt; Zeitschriftenaufsatz
ISSN0177-9516; 0342-8745
SchlagwörterChemie; Halbleiter; Solartechnik; Technik; Silicium; Grafische Darstellung; Sachinformation; Chemie; Silicium; Halbleiter; Solartechnik; Grafische Darstellung; Technik
AbstractDie Entwicklung der Materialtechnik von Halbleiter- Silicium wird von ihren Anfaengen zu Beginn des 20. Jahrhunderte bis hin zur Herstellung von Folien und Baendern aus dotiertem Reinstsilicium beschrieben. Ausfuehrlich dargestellt sind die Herstellung erster Kristalldetektoren mit Siliciumkristallen, die Spitzenkontakttechnik in den 40er Jahren, die in die Entdeckung des Transistor-Effekts muendete, die Herstellung flaechiger Bauelementstrukturen aus relativ preiswertem ultrareinem Silicium, Bemuehungen zur Fabrikation relativ kostenguenstiger Solarzellen unter Einsatz von Silicium sowie Verfahren zur Fabrikation von Siliciumbloecken, -baendern und -folien. Prinzipien und Ablaeufe der erlaeuterten Verfahren sind u. a. durch grafische Darstellungen transparent gemacht.
Erfasst vonHessisches Landesinstitut für Pädagogik, Wiesbaden
Update1994_(CD)
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